RS-H-HM8135-X/ Генератор высоких частот Rohde&Schwatz (3 ГГц) с термостатированным кварцевым генератором (OCXO) HM8135-X

Частота

Диапазон частот:

1 Гц…3 ГГц

Разрешение:

1 Гц

Время установки:

<10 мс

Источник опорной частоты 10 МГц

Температурная нестабильность (0…50°C):

±1 х 10(-8)

Старение:

<1,0х 10(-9)/день

Опция: OCXO (HO85)

Температурная нестабильность (0…50°C):

≤±1x 10-8

Старение:

≤±1x 10-9/день

Выход сигнала опорной частоты:

(на задней панели)

Уровень:

ТТЛ

Вход внеш. сигнала опорн. частоты:

(на задней панели)

Уровень:

>0 дБмВт

Частота:

10 МГц ± 20 х 10-6

Спектральная чистота (без модуляции)

Гармонические составляющие:

≤-35 дБн

Негармонические составляющие:
(отстройка от несущей>15 кГц)

≤-50 дБн 

Субгармонические составляющие:

≤-50 дБн (<2,1 ГГц)
≤-43 дБн (>2,1 ГГц)

Фазовый шум:

(отстройка от несущей 20 кГц)

f <16 МГц:

≤-120 дБн/Гц

16 МГц ≤f <250 МГц:

≤-95 дБн/Гц

250 МГц ≤f <500 МГц:

≤-105 дБн/Гц

500 МГц ≤f <1000 МГц:

≤-100 дБн/Гц

1 ГГц ≤f <2 ГГц:

≤-95 дБн/Гц 

2 ГГц ≤f <3 ГГц:

≤-90 дБн/Гц 

Остаточная ЧМ:

тип. <4 Гц; ≤6,5 Гц (в полосе 0,3…3 кГц)

Остаточная AM:

тип. <0,06% (в полосе 0,03…20 кГц)

Выходной уровень

Диапазон:

-135 … +13 дБмВт

Разрешение:

0,1 дБ

Отображаемое смещение для внешнего ослабления:

0,0…30,0 дБ с шагом 0,1

Погрешность воспроизведения

для уровня >-57 дБмВт:

≤ ±0,5 дБ

для уровня <-57 дБмВт:

≤ ±(0,5 дБ + (0,2 x (-57 дБмВт - уровень))/10)

Погрешность воспроизведения f >1,5 ГГц; уровень >-120 дБмВт

для уровня >-57 дБмВт:

≤ ±0,7 дБ

для уровня <-57 дБмВт:

≤ ±(0,7 дБ + (0,5 x (-57 дБмВт - уровень))/10)

Импеданс:

50 Ом

КСВН:

≤1,5 (f ≤1 ГГц) 
≤2,5 (f >1 ГГц) 

Источники модуляции

Внутренний:

синусоидальный от 10 Гц  до 200 кГц 

прямоугольный 10 Гц…20 кГц, треугольный, пилообразный

Разрешение:

10 Гц

Внешний:

(вход на передней панели)

Импеданс:

10 кОм II 50 пФ

Входной уровень:

2 Вразмах на всю шкалу

Связь входа:

по переменному или постоянному току

Выход:

(на передней панели)

Уровень:

2 Вразмах

Импеданс:

1 кОм

Амплитудная модуляция (уровень ≤+7 дБмВт)

Источник:

внутренний или внешний

Коэффициент модуляции:

0…100%

Разрешение:

0,1%

Погрешность:

±4% от показания ± 0,5%

(коэфф. модуляции ≤ 80%, fмод ≤ 50 кГц)

Внешняя АЧХ (до -1 дБ):

для перем. тока от 10 Гц до 100 кГц 

Искажения:

<2% (коэфф. модуляции ≤ 60%, fмод ≤ 1 кГц)
<6% (коэфф. модуляции ≤ 80%, f мод < 20 кГц)

Частотная модуляция

Источник:

внутренний или внешний

Девиация:

±200 Гц…400 кГц (зависит от частотн. диапазона)

Разрешение:

100 Гц

Погрешность:

±3% + остаточн. ЧМ (fмод ≤ 5 кГц)
±7% + остаточн. ЧМ (5 кГц < fмод < 100 кГц)

Внешняя АЧХ (до -1 дБ):

Связь по пост. току:

0…100 кГц

Связь по перем. току:

от 100 Гц  до 100 кГц

Искажения:

<1% для девиации ≥50 кГц при 1 кГц
<3% для девиации ≥10 кГц при 1 кГц

Частотная манипуляция (ЧМн)

Диапазон (F0…F1):

16 МГц…3 ГГц 

Режим:

2 уровня ЧМн

Источник данных:

внешний

Макс. скорость передачи:

10 кбит/с

Сдвиг (F1…F0):

0…10 МГц

Разрешение:

100 Гц

Фазовая манипуляция (ФМн)

Связь по переменному току:

от 16 МГц до 3 ГГц 

Режим:

2 уровня ФМн

Источник данных:

внешний

Макс. скорость передачи:

10 кбит/с

Сдвиг (Ph1…Ph0):

<16 МГц:

0…±3,14 рад

>16 МГц:

0…±10 рад

Разрешение:

0,01 рад

Импульсная модуляция

Источник:

внешний (на задней панели)

Динамический диапазон:

f < 2 ГГц:

>80 дБ

f > 2 ГГц:

>55 дБ

Время нарастания/спада:

<50 нс (тип. <10 нс)

Задержка:

<100 нс

Макс. частота

2,5 МГц (тип. 5 МГц)

Входной уровень:

ТТЛ

Режим качания частоты (развертки по частоте)

Диапазон:

от 1 МГц  до 3 ГГц

Глубина:

от 500 Гц  до 2,999 ГГц

Время развертки:

20 мс…5 с

Запуск:

внутренний

Защитные функции

Синтезатор защищен от подачи обратной мощности на ВЧ-выход (до 1 Вт для 50-омного источника) и от любых постоянных напряжений до ±7 В. Система защиты отсоединяет выход до тех пор, пока оператором не будет произведен ручной сброс.

Прочие характеристики

Интерфейс:

USB/RS-232, IEEE-488 (опция HO880)

Областей памяти для настроек:

10

Степень защиты:

Класс безопасности I (EN61010-1)

Питание:

115…230 В ±10%, 50/60 Гц, CAT II

Потребляемая мощность:

приблиз. 40 ВА

Диапазон рабочих температур:

+5…+40°C

Диапазон температур хранения:

-20…+70°C

Отн. влажность:

5…80% (без конденсации)

Габариты (Ш x В x Г):

285 x 75 x 365 мм

Масса:

5 кг